对比图
型号 IS43DR16128B-25EBL IS43DR16128B-25EBL-TR
描述 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHSDRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400MHz @ CL6, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, T&R
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 84 84
封装 TFBGA-84 BGA-84
供电电流 375 mA -
时钟频率 400 MHz -
位数 16 16
存取时间 400 ps -
存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V
封装 TFBGA-84 BGA-84
高度 - 1 mm
工作温度 0℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 EAR99 -