MXSMLJ30AE3和MXSMLJ30AE3TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MXSMLJ30AE3 MXSMLJ30AE3TR MXSMLJ30ATR

描述 DO-214AB 30V 3000WDO-214AB 30V 3000W3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DO-214AB DO-214AB DO-214AB

引脚数 2 - -

最大反向电压(Vrrm) 30V 30V -

脉冲峰值功率 3000 W 3000 W -

钳位电压 48.4 V - -

测试电流 1 mA - -

最小反向击穿电压 33.3 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-214AB DO-214AB DO-214AB

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -

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