对比图
型号 IRFP260MPBF IXFH50N20 IXTH50N20
描述 N沟道,200V,50A,40mΩ@10VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 200 V 200 V
额定电流 - 50.0 A 50.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 - - 4.60 nF
栅电荷 - - 220 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A 50.0 A
上升时间 - 15.0 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 4057pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)
下降时间 - - 16 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
额定功率 - 300 W -
额定功率(Max) 300 W 300 W -
通道数 1 - -
产品系列 IRFP260M - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
宽度 5.31 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not For New Designs Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15