BAS21LT1G和NRVB130T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21LT1G NRVB130T1G BAS21LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA1A 至 2A,ON Semiconductor### 标准Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT3G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 小信号二极管肖特基二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 2 3

封装 SOT-23-3 SOD-123 SOT-23-3

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

针脚数 3 2 3

正向电压 1.25 V 450mV @700mA 1.25V @200mA

正向电流 200 mA 1 A 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 625 mA 5.5 A 625 mA

正向电压(Max) 1.25 V 450 mV 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 1 A 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定电流 200 mA - -

电容 5.00 pF - -

输出电流 ≤200 mA - ≤200 mA

负载电流 0.2 A - -

极性 Standard - Standard

耗散功率 385 mW - 385 mW

热阻 417℃/W (RθJA) - 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 50 ns - 50 ns

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

长度 3.04 mm 2.84 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.8 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1.25 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOD-123 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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