IS62WV25616BLL-55BI和IS62WV25616BLL-55BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV25616BLL-55BI IS62WV25616BLL-55BLI

描述 静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 BGA-48 BGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

位数 16 16

存取时间 55 ns 55 ns

内存容量 4000000 B 4000000 B

存取时间(Max) 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V

电源电压(Min) - 2.5 V

封装 BGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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