TLC2201CD和TLC2201CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2201CD TLC2201CDR MCP6H01-E/SN

描述 精密 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments高级LinCMOSE低噪声精密运算放大器 Advanced LinCMOSE LOW-NOISE PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSMCP6H01/02/04 运算放大器### 运算放大器,Microchip

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤65 mA

供电电流 1.1 mA 1.1 mA 135 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.725 W 0.725 W -

共模抑制比 90 dB 90 dB 78 dB

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 2.50 µV/K

带宽 1.9 MHz 1.9 MHz 1.2 MHz

转换速率 2.50 V/μs 2.50 V/μs 800 mV/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.9 MHz 1.2 MHz

输入补偿电压 100 µV 100 µV 3.5 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 10 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.9 MHz 1.9 MHz 1.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 90 dB 90 dB 78 dB

电源电压(DC) - - 3.50V (min)

工作电压 - - 3.5V ~ 16V

针脚数 - - 8

静态电流 - - 185 µA

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 3.5 V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.58 mm - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 8542390001

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