IXFK120N30T和IXTK110N30

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK120N30T IXTK110N30 IXFX120N30T

描述 TO-264 N-CH 300V 120ATrans MOSFET N-CH 300V 110A 3Pin(3+Tab) TO-264AAPLUS N-CH 300V 120A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 960W (Tc) 730W (Tc) 960 W

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 120A - 120A

输入电容(Ciss) 20000pF @25V(Vds) 7800pF @25V(Vds) 20000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 960W (Tc) 730W (Tc) 960W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 24 mΩ

漏源击穿电压 - - 300 V

上升时间 - - 31 ns

额定功率(Max) - - 960 W

下降时间 - - 23 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

长度 - - 16.13 mm

宽度 - - 5.21 mm

高度 - - 21.34 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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