IXTP10P15T和IXTY10P15T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP10P15T IXTY10P15T

描述 TO-220AB P-CH 150V 10ADPAK P-CH 150V 10A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-252-3

极性 P-CH P-CH

耗散功率 83W (Tc) 83W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 10A 10A

输入电容(Ciss) 2210pF @25V(Vds) 2210pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc)

漏源极电阻 350 mΩ -

漏源击穿电压 150 V -

封装 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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