TLV2442CD和TLV2442QDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2442CD TLV2442QDR TLV2442CDR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLV2442CD  芯片, 运算放大器高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - -

耗散功率 0.725 W - 725 mW

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.75 MHz 1.75 MHz 1.75 MHz

转换速率 1.40 V/μs 1.40 V/μs 1.40 V/μs

增益频宽积 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 40 ℃

增益带宽 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

电源电压 2.7V ~ 10V - -

电源电压(Max) 10 V - 10 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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