BC859CW和BC859CW,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859CW BC859CW,135

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorsSC-70 PNP 30V 0.1A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323 SOT-323-3

引脚数 - -

极性 - PNP

耗散功率 - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 200 mW

耗散功率(Max) - 200 mW

增益频宽积 - -

封装 SOT-323 SOT-323-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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