对比图
型号 BC858CLT1G BC859CLT1G BC858CLT1
描述 ON SEMICONDUCTOR BC858CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 300mW - 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30.0 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 300 mW 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW -
增益频宽积 - - 100 MHz
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - - 2.9 mm
宽度 - - 1.3 mm
高度 - - 0.94 mm
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)