对比图
描述 EcoSPARKTM 200mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBTIGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 400 V 400 V
额定电流 10.0 A 10.0 A
耗散功率 130000 mW 130000 mW
上升时间 2.17 µs 2.17 µs
击穿电压(集电极-发射极) 430 V 430 V
额定功率(Max) 130 W 130 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 130000 mW 130 W
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99