对比图
型号 FDP7N50 SIHP8N50D-GE3
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 760 mΩ 0.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 89 W 156 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 8.7A
输入电容(Ciss) 940pF @25V(Vds) 527pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 89 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 89W (Tc) 156 W
针脚数 - 3
阈值电压 - 3 V
长度 10.67 mm 10.51 mm
宽度 4.83 mm 4.65 mm
高度 16.51 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active -
包装方式 Tube Bulk
最小包装 - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free