对比图
型号 IXTA220N055T IXTP220N055T IXTH220N055T
描述 MOSFET N-CH 55V 220A TO-263TO-220AB N-CH 55V 220ATO-247 N-CH 55V 220A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
耗散功率 430 W 430 W 430W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
输入电容(Ciss) 7200pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 430 W - -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 4 mΩ -
极性 - N-CH N-CH
漏源击穿电压 - 55 V -
连续漏极电流(Ids) - 220A 220A
上升时间 - 62 ns -
下降时间 - 53 ns -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
长度 - 10.66 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free