GS8182T18BD-250和GS8182T18BGD-200

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8182T18BD-250 GS8182T18BGD-200 GS8182T18BGD-250

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18MDDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-165 LBGA BGA-165

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

封装 BGA-165 LBGA BGA-165

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -

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