TLV2262QD和TLV2262QDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2262QD TLV2262QDRG4 TLC27M2BID

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - - ≤30 mA

供电电流 400 µA 400 µA 285 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW - 0.725 W

共模抑制比 - - 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 1.70 µV/K

带宽 670 kHz 670 kHz 525 kHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 460 mV/μs

增益频宽积 710 kHz 710 kHz 0.525 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 224 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA .7 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 710 kHz - 635 kHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 65 dB

过温保护 No No -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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