IXFK170N20P和IXFX170N20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK170N20P IXFX170N20P IXTK160N20

描述 TO-264 N-CH 200V 170APLUS N-CH 200V 170ATrans MOSFET N-CH 200V 160A 3Pin(3+Tab) TO-264AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 1.25 kW 1250 W 730 W

阈值电压 5 V 5 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 170A 170A -

上升时间 25 ns 25 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 11400pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds) 12900pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 14 ns 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1250W (Tc) 730W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源极电阻 14 mΩ - 13 mΩ

漏源击穿电压 200 V - 200 V

宽度 5.31 mm 5.21 mm 5.13 mm

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

长度 20.29 mm - 19.96 mm

高度 26.59 mm - 26.16 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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