1N5417E3和JANS1N5417US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5417E3 JANS1N5417US 30S2-AP

描述 Diode Switching 200V 3A 2Pin Case EDiode Switching 200V 3A 2Pin E-MELF3A Medium Power Silicon Rectifier 50 - 1000 Volts

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 功率二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 -

封装 B E-MELF -

安装方式 - Surface Mount -

正向电压 1.5 V 1.5 V -

反向恢复时间 150 ns 150 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 B E-MELF -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

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