对比图
型号 IXSA20N60B2D1 IXXH30N60B3D1
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3Pin(3+Tab) TO-220ABTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V -
额定电流 35.0 A -
上升时间 30.0 ns -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 30 ns 25 ns
额定功率(Max) 190 W 270 W
耗散功率 - 270000 mW
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 270000 mW
封装 TO-263-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99