KSH2955和KSH29CTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH2955 KSH29CTF MJD2955

描述 通用放大器低速切换应用D- PAK表面贴装应用 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount ApplicationsON Semiconductor KSH29CTF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:15, 3引脚 DPAK (TO-252)封装Power Bipolar Transistor,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Taitron

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DPAK TO-252-3 -

引脚数 - 3 -

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 100 V -

集电极最大允许电流 10A - -

频率 - 3 MHz -

耗散功率 - 1.56 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @1A, 4V -

额定功率(Max) - 1.56 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 15 W -

封装 DPAK TO-252-3 -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.1 mm -

高度 - 2.3 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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