APT1003RBFLLG和APT1003RBLLG

对比图

型号 APT1003RBFLLG APT1003RBLLG APT1003RBLL

描述 TO-247 N-CH 1000V 4ATO-247 N-CH 1000V 4APower Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 4.00 A 4.00 A -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 139 W -

输入电容 694 pF 694 pF -

栅电荷 34.0 nC 34.0 nC -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V -

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A -

上升时间 - 4 ns -

输入电容(Ciss) 694pF @25V(Vds) 694pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 139 W 139 W -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 139W (Tc) -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 PB free Lead Free -