对比图
型号 IXTA180N10T7 IXTH180N10T IXTQ180N10T
描述 IXTA Series Single N-Channel 100V 6.4mOhm 480W Power Mosfet - TO-263N沟道 100V 180ATrans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-3P
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-7 TO-247-3 TO-3-3
引脚数 7 - -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 6.4 mΩ -
极性 - N-CH -
耗散功率 480 W 480 W 480W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) - 180A -
上升时间 54 ns 54 ns -
输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 480 W 480 W -
下降时间 31 ns 31 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)
长度 - 16.26 mm -
宽度 - 5.3 mm -
高度 - 21.46 mm -
封装 TO-263-7 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free