2SD526和MJF18004

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD526 MJF18004 MJE18006

描述 NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)NPN双极型功率晶体管开关电源的应用 NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications功率晶体管 POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 450 V 450 V

额定电流 - 5.00 A 8.00 A

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 450 V 450 V

集电极最大允许电流 - 5A 6A

最小电流放大倍数(hFE) - 14 @300mA, 5V 6 @3A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 34 -

额定功率(Max) - 35 W 100 W

封装 - TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台