对比图
型号 2N4857 JANTX2N4857 JANTXV2N4857
描述 Trans JFET N-CH 3Pin TO-18N沟道J- FET N-CHANNEL J-FETSmall Signal Field-Effect Transistor, 1Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
数据手册 ---
制造商 Solitron Devices Microsemi (美高森美) Solitron Devices
分类 JFET晶体管JFET晶体管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-206 TO-206 -
漏源极电阻 - 40 Ω -
耗散功率 - 360 mW -
漏源极电压(Vds) - 40 V -
击穿电压 - 40 V -
输入电容(Ciss) - 18pF @10V(Vgs) -
额定功率(Max) - 360 mW -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 360 mW -
封装 TO-206 TO-206 -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead