对比图
型号 FDU6682 ISL9N306AD3 FDU8896
描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V ， 50A ， 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mзN沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-251 TO-251-3
漏源极电阻 - 9.50 mΩ 5.70 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 71 W 125 W 80W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75A 50.0 A 94.0 A
上升时间 12 ns - 106 ns
下降时间 18 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 94.0 A
输入电容 - - 2.52 nF
栅电荷 - - 46.0 nC
输入电容(Ciss) - - 2525pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 80 W
耗散功率(Max) - - 80W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-251 TO-251-3
长度 10.67 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 16.3 mm - -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99