对比图
型号 STF20N95K5 STF6NM60N STF8NM60N
描述 STF20N95K5 系列 950 V 330 mOhm N-沟道 SuperMESH 5™ 功率 Mosfet - TO-220FPN沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.275 Ω - 650 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 40 W 20W (Tc) 25 W
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 950 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 17.5A 4.6A 3.50 A
上升时间 12 ns - 12 ns
正向电压(Max) 1.5 V - -
输入电容(Ciss) 1500pF @100V(Vds) 420pF @50V(Vds) 560pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 40 W - -
下降时间 20 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 20W (Tc) 25W (Tc)
漏源击穿电压 - - 600 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free