MMBD354LT1和MMBD354LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBD354LT1 MMBD354LT1G

描述 双热载流子二极管混频器 Dual Hot Carrier Mixer DiodesON SEMICONDUCTOR  MMBD354LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 7 V, 10 mA, 600 mV

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 RF二极管RF二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 7.00 V 7.00 V

额定电流 80.0 mA 10.0 mA

电容 1.00 pF 1.00 pF

耗散功率 225 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

正向电压 - 0.6 V

正向电流 - 10 mA

正向电压(Max) - 600 mV

长度 2.9 mm -

宽度 1.3 mm -

高度 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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