MJD31CT4和MJD31CTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31CT4 MJD31CTF NJVMJD31CT4G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  NJVMJD31CT4G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 3 MHz 3 MHz

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 1.56 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 25 @1A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 10 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 15000 mW

极性 - - NPN

集电极最大允许电流 - - 3A

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 3.00 A - -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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