对比图
型号 BCR 183 B6327 PDTA114ET,215
描述 双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTORNXP PDTA114ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 - 3
极性 - PNP
耗散功率 - 250 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 200 mW 250 mW
直流电流增益(hFE) - 30
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
额定电压(DC) -50.0 V -
额定电流 -100 mA -
耗散功率(Max) - -
长度 2.9 mm 3 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
香港进出口证 - NLR
ECCN代码 - -