IRF7470PBF和NDS8425

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7470PBF NDS8425 FDS4480

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8Pin SOIC TubePowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4480  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 40 V, 0.008 ohm, 10 V, 3.9 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 40.0 V 20.0 V 40.0 V

额定电流 11.0 A 7.40 A 10.8 A

漏源极电阻 - 0.022 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 890 mV 3.9 V

漏源极电压(Vds) 40 V 20 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V 20.0 V 40 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 7.40 A 10.8 A

输入电容(Ciss) 3430pF @20V(Vds) 1098pF @15V(Vds) 1686pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1 W 1.2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

产品系列 IRF7470 - -

上升时间 1.9 ns - 9 ns

下降时间 3.2 ns - 15 ns

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

输入电容 - - 1.69 nF

栅电荷 - - 29.0 nC

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.575 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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