RB095T-90和VF40100C-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB095T-90 VF40100C-E3/4W VF40100CE3/4W

描述 肖特基二极管 Schottky barrier diode双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.38 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 ADiode Schottky 100V 40A 3Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 二极管阵列肖特基二极管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 ITO-220AB

安装方式 Through Hole Through Hole -

正向电压 750mV @3A 0.73 V 0.73 V

正向电流 6000 mA 40 A 40000 mA

正向电流(Max) 6000 mA 40 A 40000 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

额定电压(DC) 90.0 V - -

额定电流 6.00 A - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A 250 A -

正向电压(Max) 750mV @3A 730mV @20A -

工作结温 150℃ (Max) - -

最大反向电压(Vrrm) - 100 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 ITO-220AB

宽度 4.5 mm 4.83 mm -

长度 - 10.26 mm -

高度 - 15.24 mm -

包装方式 Bulk Tube Rail, Tube

产品生命周期 Not For New Designs - -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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