IRF7416PBF-1和IRF7416QPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7416PBF-1 IRF7416QPBF IRF7416TRPBF-1

描述 SOIC P-CH 30V 10ASOIC P-CH 30V 10ASOIC P-CH 30V 10A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 -

封装 SO-8 SO-8 SOIC

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 35 mΩ -

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 - 2.5 W -

产品系列 - IRF7416Q -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 10.0 A 10A

上升时间 - 49 ns 49 ns

输入电容(Ciss) - 1700pF @25V(Vds) -

下降时间 - 60 ns 60 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2500 mW -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SO-8 SO-8 SOIC

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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