对比图
描述 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORSTMICROELECTRONICS TIP112. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 500 hFE互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39 TO-220-3 TO-220-3
极性 NPN NPN -
耗散功率 1.2 W 2 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 200 V 100 V 80 V
集电极最大允许电流 5A - -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 5V 1000 @1A, 4V 25 @1A, 4V
额定功率(Max) 1.2 W 2 W 2 W
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1200 mW 2000 mW 2 W
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 2.00 A -
针脚数 - 3 3
直流电流增益(hFE) - 1000 10
频率 - - 3 MHz
封装 TO-39 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bag Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99