IDT70T3519S133BFI和IDT70T651S10BFGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70T3519S133BFI IDT70T651S10BFGI IDT70T3519S166BFG

描述 HIGH -SPEED 2.5V一百二十八分之二百五十六/ 64K ×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEIC SRAM 9Mbit 10NS 208FBGADual-Port SRAM, 256KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 3A991 3A991 3A991

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