对比图
型号 FGH40N60SFDTU STGY40NC60VD STGW39NC60VD
描述 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 50.0 A 40.0 A
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 290000 mW 260 W 250 W
输入电容 - 4550 pF -
漏源极电压(Vds) - 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A 40.0 A
上升时间 - 19.0 ns 13 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
热阻 - 50 ℃/W -
反向恢复时间 45 ns 44 ns 45 ns
额定功率(Max) 290 W 260 W 250 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 290 W 260000 mW 250 W
额定功率 - - 250 W
针脚数 - - 3
栅电荷 - - 126 nC
长度 15.6 mm 15.9 mm 15.75 mm
宽度 4.7 mm 5.3 mm 5.15 mm
高度 20.6 mm 20.3 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99