FQPF13N06L和STP16NF06FP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF13N06L STP16NF06FP FQPF13N06

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF13N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS  STP16NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 4 V60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 13.6 A 11.0 A 13.0 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.088 Ω 0.08 Ω 135 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 24 W 25 W 24W (Tc)

阈值电压 2.5 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 8.00 A 9.40 A

上升时间 90 ns 18 ns -

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 315pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 24 W 25 W 24 W

下降时间 40 ns 6 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 24W (Tc) 25W (Tc) 24W (Tc)

长度 10.16 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 9.19 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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