HGTG20N60A4D和IXGH50N60B2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTG20N60A4D IXGH50N60B2 HGTG30N60B3

描述 单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-247FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60B3  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 - 3

耗散功率 290 W - 208 W

上升时间 12 ns - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 35 ns - -

额定功率(Max) 290 W 400 W 208 W

下降时间 32 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 290000 mW - 208 W

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 60.0 A

极性 - - N-Channel

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - - 20.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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