MMSF4N01HDR2和NDS8425

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMSF4N01HDR2 NDS8425 NTMS4N01R2

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8Pin SOIC T/RON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS8425, 7.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装功率MOSFET 4.2安培, 20伏特N沟道增强模式单一SO- 8封装 Power MOSFET 4.2 Amps, 20 Volts N−Channel Enhancement−Mode Single SO−8 Package

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT SOIC-8 SOIC-8

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOT SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.575 mm 1.5 mm

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

额定电压(DC) - - 20.0 V

额定电流 - - 4.20 A

漏源极电阻 - - 45.0 mΩ

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) - 20 V 20.0 V

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±10.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.20 A

上升时间 - 13 ns 35 ns

下降时间 - 11 ns 50 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电容(Ciss) - 1098pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 1 W -

耗散功率(Max) - 2.5 W -

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