对比图
描述 INFINEON BTS117TC 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 10A, TO-263-3？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETINFINEON BTS117.. 场效应管, MOSFET, LOGIC SMART SWITCH TO-220 [ROHS Substitute: 1156427]
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器电源管理
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
电源电压(DC) - - 1.30V (min)
额定电压(DC) - 70.0 V 60.0 V
额定电流 - 5.00 A 3.50 A
输出接口数 1 1 1
输入电压(DC) 10.0 V - 60.0 V
输出电流 3.5 A - 3.5 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 - 200 mΩ 100 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 31000 mW 50000 mW
漏源极电压(Vds) - - 60 V
连续漏极电流(Ids) - 5.00 A 3.50 A
输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A
输出电流(Min) 3.5 A - 3.5 A
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) 50000 mW 31000 mW 50000 mW
电源电压 2.2V ~ 10V - 2.2V ~ 10V
电源电压(Max) - - 10 V
电源电压(Min) - - 1.3 V
输入电压 10 V - 60 V
通道数 1 - -
漏源击穿电压 - 70.0 V -
上升时间 - 60.0 ns -
输入数 - 1 -
长度 10 mm - 10 mm
宽度 9.25 mm - 4.4 mm
高度 4.4 mm - 15.65 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
厚度 - - 4.40 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99