对比图
型号 IXTH10N100D IXTH10N100D2 IXTT10N100D
描述 MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247N-CH 1000V 10AMosfet n-Ch 1000V 10A To-268
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
耗散功率 400 W 695 W 400W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 5320pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 400W (Tc) 695W (Tc) 400W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源极电阻 1.4 Ω 1.5 Ω -
极性 - N-CH -
漏源击穿电压 1000 V 1000 V -
连续漏极电流(Ids) - 10A -
上升时间 85 ns 36 ns -
下降时间 75 ns 164 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free