对比图
型号 BFR520T BFT92W,115 BFT92,215
描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistorNXP### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsNXP BFT92,215 射频宽带晶体管, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-23, 整卷
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 SOT-416 SOT-323-3 SOT-23-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-416 SOT-323-3 SOT-23-3
长度 - 2.2 mm 3 mm
宽度 - 1.35 mm 1.4 mm
高度 - 1 mm 1 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
频率 - 4000 MHz 5000 MHz
额定功率 - 300 mW -
针脚数 - 3 3
极性 - PNP, P-Channel PNP, P-Channel
耗散功率 - 300 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 15 V
增益 - 17 dB 18 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @15mA, 10V 20 @14mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 20 -
额定功率(Max) - 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 50 50
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW
材质 - Silicon -
工作温度 - 150℃ (TJ) 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99