对比图
型号 IXFV36N50P IXTH36N50P 2SK790
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin(3+Tab) PLUS 220IXYS SEMICONDUCTOR IXTH36N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 VTO-3P N-CH 500V 15A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 36.0 A 36.0 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 170 mΩ 0.17 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 540 W 540 W -
阈值电压 - 5 V -
输入电容 5.50 nF 5.50 nF -
栅电荷 93.0 nC 85.0 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36.0 A 15A
上升时间 27 ns 27 ns -
反向恢复时间 - 400 ns -
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 540 W -
下降时间 21 ns 21 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 500 V - -
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-3
长度 11 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 15 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -