BC558TF和BC558_D81Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC558TF BC558_D81Z BC858G-A-AE3-R

描述 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 T/RTrans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 T/RSmall Signal Bipolar Transistor,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) UTC (友顺)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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