BAS70LT1和RS1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS70LT1 RS1G BAS70

描述 CASE 318 08, STYLE 8 SOT 23 (TO 236AB)TAIWAN SEMICONDUCTOR  RS1G  标准恢复二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.3 V, 150 ns, 30 ADiode: Schottky rectifying; SMD; 70V; 0.2A; 5ns; 310mW; SOT23

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Diotec Semiconductor

分类 功率二极管二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 3

封装 - DO-214AC SOT-23

电容 - - 2 pF

额定功率 - - 310 mW

负载电流 - - 200 mA

正向电压 - 1.30 V 1 V

反向恢复时间 - 150 ns 5 ns

正向电流 - 1 A 70 mA

正向电流(Max) - 1 A 0.07 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

易燃性等级 - UL 94 V-0 -

针脚数 - 2 -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A -

正向电压(Max) - 1.3 V -

封装 - DO-214AC SOT-23

长度 - 4.6 mm -

宽度 - 2.83 mm -

高度 - 2.5 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

重量 - 68.0 mg -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台