SPD03N60C3和SPD03N60S5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD03N60C3 SPD03N60S5 SPD03N50C3ATMA1

描述 INFINEON  SPD03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorINFINEON  SPD03N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3-1

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 650 V 600 V -

额定电流 3.20 A 3.20 A -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 38 W 38 W 38 W

输入电容 - 420 pF -

栅电荷 - 16.0 nC -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 560 V

连续漏极电流(Ids) 3.2A 3.20 A 3.2A

上升时间 3 ns 25 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 420pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38 W 38 W -

下降时间 12 ns 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1.26 Ω - 1.25 Ω

阈值电压 3 V - 3 V

正向电压(Max) 1.2 V - -

耗散功率(Max) 38W (Tc) - 38W (Tc)

长度 6.73 mm 6.5 mm -

宽度 6.223 mm 6.22 mm -

高度 2.413 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3-1

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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