IRF1902PBF和NDS8425

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1902PBF NDS8425

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 8Pin SOICPowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 4.20 A 7.40 A

漏源极电阻 - 0.022 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 890 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 7.40 A

输入电容(Ciss) 310pF @15V(Vds) 1098pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta)

额定功率 2.5 W -

通道数 1 -

产品系列 IRF1902 -

上升时间 13.0 ns -

长度 - 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm

高度 - 1.575 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99

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