对比图
型号 IRFL014NPBF IRFL014NTRPBF
描述 N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL014NTRPBF 场效应管, MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) - 55.0 V
额定电流 - 2.70 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.16 Ω 0.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1 W 2.1 W
产品系列 - IRFL014N
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 190 pF 190pF @25V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 2.7A 1.90 A
上升时间 7.1 ns 7.10 ns
输入电容(Ciss) 190pF @25V(Vds) 190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
额定功率 2.1 W -
下降时间 3.3 ns -
耗散功率(Max) 1W (Ta) -
通道数 1 -
长度 6.7 mm 6.7 mm
高度 1.7 mm 1.45 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4
宽度 3.7 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - -