DS1-12D和DSA1-12D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1-12D DSA1-12D DSA2-12A

描述 DIODE STD 1200V 2.3A SIPDIODE AVALANCHE 1200V 2.3A 2SIPDiode 1.2kV 3.6A 2Pin

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 Radial Radial DO-13-2

引脚数 - 2 2

正向电压 1.3V @7A 1.34V @7A 1.25V @7A

正向电压(Max) 1.3V @7A 1.34V @7A 1.25V @7A

工作温度(Max) - 150 ℃ 180 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

封装 Radial Radial DO-13-2

宽度 - - 8 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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