D44H11和D44H11G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D44H11 D44H11G

描述 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power TransistorsNPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V

额定电流 10.0 A 10.0 A

极性 NPN NPN

耗散功率 2000 mW 2000mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80.0 V

集电极最大允许电流 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V -

额定功率(Max) 2 W -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW -

封装 TO-220-3 TO-220-3

高度 9.28 mm -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 Non-Compliant Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 - -

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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