NE555DR和NE555N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NE555DR NE555N SA555D

描述 TEXAS INSTRUMENTS  NE555DR  芯片, 单高精度定时器STMICROELECTRONICS  NE555N  芯片, 定时器STMICROELECTRONICS  SA555D..  芯片, 双极性定时器, 单路, 通用

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 时钟信号器件时钟信号器件可编程定时器芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

频率 100 kHz 500 kHz 500 kHz

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) 18.0V (max)

供电电流 10 mA 10 mA 10 mA

针脚数 8 8 8

静态电流 2.00 mA - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 16V 4.5V ~ 16V 4.5V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

输入电压(DC) - 15.0V (max) -

输出电流 - 200 mA 200 mA

长度 4.9 mm 9.27 mm -

宽度 3.91 mm 6.35 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 3.3 mm -

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台